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承办单位: 贵州大学     

基本信息

项目名称:
多晶硅薄膜的制备方法的研究
小类:
能源化工
简介:
目前晶体硅薄膜电池的晶粒大小从纳晶直到毫米级,光伏界将它们统称为多晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅薄膜电池的研究日益受到人们的重视,未来将成为太阳能电池的主要竞争者。在研究怎样把硅片切薄的同时,人们加大了对多晶硅薄膜电池的研究。
详细介绍:
本文介绍了太阳能多晶硅薄膜的主要制备方法。制备多晶硅薄膜的方法有很多种。主要有化学气相沉积法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金属诱导晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化学气相沉积法(CVD)是制备多晶硅薄膜最广泛使用的方法。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、及其优缺点。

作品专业信息

撰写目的和基本思路

主要有化学气相沉积法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金属诱导晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化学气相沉积法(CVD)是制备多晶硅薄膜最广泛使用的方法。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、及其优缺点。

科学性、先进性及独特之处

多晶硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池技术和薄膜太阳电池技术的优点:性能稳定,不存在效率衰退的问题;可在不同材料、形状、大小的衬底上沉积,可大幅度节省硅材料的用量,具有高转化效率潜力;可大面积制备,便于大规模连续化生产,具有更高的产率;具有大幅度降低太阳电池制造成本的潜力;此外,薄膜的制备过程基本不对生态环境造成危害,较为“绿色”。

应用价值和现实意义

在研究多晶硅薄膜的制备方法的同时,能够更好的制造高质量、高性能的多晶硅。在不久的将来,作为“太阳能的心脏”的多晶硅将全面上市,受到人们的广泛关注,也将使大幅度节省制造成本和保护生态环境上一个更高的层次。

学术论文摘要

目前晶体硅薄膜电池的晶粒大小从纳晶直到毫米级,光伏界将它们统称为多晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅薄膜电池的研究日益受到人们的重视,未来将成为太阳能电池的主要竞争者。在研究怎样把硅片切薄的同时,人们加大了对多晶硅薄膜电池的研究。 本文介绍了太阳能多晶硅薄膜的主要制备方法。制备多晶硅薄膜的方法有很多种。主要有化学气相沉积法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金属诱导晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化学气相沉积法(CVD)是制备多晶硅薄膜最广泛使用的方法。它们具有各自不同的制备原理、晶化机理、及其优缺点。 多晶硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池技术和薄膜太阳电池技术的优点:性能稳定,不存在效率衰退的问题;可在不同材料、形状、大小的衬底上沉积,可大幅度节省硅材料的用量,具有高转化效率潜力;可大面积制备,便于大规模连续化生产,具有更高的产率;具有大幅度降低太阳电池制造成本的潜力;此外,薄膜的制备过程基本不对生态环境造成危害,较为“绿色”。

获奖情况

鉴定结果

参考文献

[1]王阳元,等1 多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用(第二版) [M] . 北京:科学出版社,2001 ,2~4. [2]吴萍,等. a2Si :H 薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜[J ] . 汕头大学学报,1999 ,14(1) :19. [3] 曾祥斌。多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法[J]电子元件与材料,2000,01:7~8 [4] 邱法斌等。准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备[J]。液晶与显示,2001,03:170~174 [5] 刘丰珍。等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜[J]。半导体学报,2003,05:499~503 [6] 邱春文等。PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究[J]。液晶与显示,2003,03:201~204 [7] Giust G.K, Sigmon T.W. Laser-processed thin-film transistors fabricated from sputtered amorphous silicon films. IEEE Trans Electron Devices, 2000, 47(1):207 [8] WangWen,MengZhi guo, Low Temperature Metal Induced Laterally Crystallized Polycrystallline S-ilicon Material and DeviceTechnology,2003,5:87

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